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電力系統(tǒng)為什么要采用自動重合閘?？

電力系統(tǒng)采用二次重合閘，主要是為了保證供電線路和長期供電的安全。

電力系統(tǒng)中的高壓電力線敷設(shè)線路長，區(qū)域環(huán)境復(fù)雜，經(jīng)常會遇到各種外部因素，導(dǎo)致停電事故。電源故障可分為暫時故障和故障。

例如，臨時故障中閃電造成的絕緣子表面閃絡(luò)、高壓供電線路對分支的放電、分支和其他物體掉落在電線上造成的短路、強風(fēng)造成的電線碰撞、輸電線路桿塔上的鳥筑巢造成的線路與地面之間的短路、高壓線路上的鳥棲息造成的對地短路以及絕緣瓷瓶的表面污染；高壓輸電線路被保護器斷開后，電弧將熄滅，樹枝、鳥等外部物體也將被燒掉并消失。

性故障包括:線反極、三相高壓線斷線、高壓絕緣瓷絕緣子被高壓擊穿而無法恢復(fù)。簡而言之，供電線路故障后，故障現(xiàn)象仍然存在，即被保護和斷開。

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漏電保護器的正確使用

作為電氣設(shè)備的操作者和維護者，為了更好地使用漏電保護器，必須有足夠的理解和知識。只有掌握了它的原理、結(jié)構(gòu)和分類，才能靈活、正確、安全地使用它。

首先，下面逐一介紹漏電保護器的一些基本常識

漏電保護器，簡稱漏電開關(guān)，又稱漏電斷路器，主要用于設(shè)備發(fā)生漏電故障時保護人身安全和防止觸電事故的電路中。同時，它還具有過載和短路保護功能。漏電保護器根據(jù)動作信號類型分為漏電電流保護器和漏電電壓保護器。

第二，漏電保護器由四部分組成

檢測元件:檢測元件可以說是零序電流互感器。被保護相線和零線穿過環(huán)形鐵芯形成變壓器的初級線圈N1，纏繞在環(huán)形鐵芯上的繞組形成變壓器的次級線圈N2。如果沒有發(fā)生泄漏，此時流過相線和零線的電流矢量之和等于零，因此在N2上不能產(chǎn)生相應(yīng)的感應(yīng)電動勢。如果發(fā)生泄漏，相線和零線的電流矢量之和不等于零，從而在N2產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，該信號將被發(fā)送到中間環(huán)節(jié)進行進一步處理。中間環(huán)節(jié):中間環(huán)節(jié)通常包括放大器、比較器和脫扣器。當中間鏈路是電子的時，中間鏈路也需要輔助功率來提供電子電路所需的功率。中間環(huán)節(jié)的功能是放大和處理來自零序變壓器的泄漏信號，并將其輸出至執(zhí)行器。致動器:這種結(jié)構(gòu)用于從中間環(huán)節(jié)接收命令信號，執(zhí)行動作，并在故障時自動切斷電源。試驗裝置:由于漏電保護器是一種保護裝置，應(yīng)定期檢查其完整性和可靠性。測試裝置通過測試按鈕和限流電阻的串聯(lián)來模擬泄漏路徑，以檢查裝置是否能正常工作。

三、零序變壓器:一般指零序電流互感器

定理:零序變壓器遵循的電路定理是基爾霍夫電流定律，也稱為節(jié)點電流定律。內(nèi)容是:在電路中的任何節(jié)點，在任何時刻，流入該節(jié)點的電流之和等于流出該節(jié)點的電流之和；它也可以被描述為通過任何假設(shè)的閉合表面(節(jié)點、負載)的電流的代數(shù)和，在任何時刻電路中沒有電源是零。

固態(tài)繼電器SSR的結(jié)構(gòu)

SSR的結(jié)構(gòu)主要由輸入(控制)電路，驅(qū)動電路和輸出(負載)電路三部分組成。

1.輸入電路 input circuit

是為輸入控制信號提供一個工作回路，使之成為固態(tài)繼電器的觸發(fā)信號源。固態(tài)繼電器的輸入電路多為直流輸入，個別的為交流輸入。

直流輸入電路又分為阻性輸入和恒流輸入。阻性輸入電路的輸入控制電流隨輸入電壓呈線性的正向變化。恒流輸入電路，在輸入電壓達到一定值時，電流不再隨電壓的升高而明顯增大，這種繼電器可適用于相當寬的輸入電壓范圍。

2.驅(qū)動電路 driven circuit

包括隔離耦合電路、功能電路和觸發(fā)電路三部分。

隔離耦合電路，目前多采用光電耦合器和高頻變壓器兩種電路形式。常用的光電耦合器有光－三極管、光－雙向可控硅、光－二極管陣列(光－伏)等。

高頻變壓器耦合，是在一定的輸入電壓下，形成約10MHz的自激振蕩，通過變壓器磁芯將高頻信號傳遞到變壓器次級。

功能電路包括檢波整流、過零、加速、保護、顯示等各種功能電路。

觸發(fā)電路的作用是給輸出器件提供觸發(fā)信號。

3.輸出電路 output circuit

是在觸發(fā)信號的控制下，實現(xiàn)固態(tài)繼電器的通斷切換。輸出電路主要由輸出器件(芯片)和起瞬態(tài)抑制作用的吸收回路組成，有時還包括反饋電路。目前，各種固態(tài)繼電器使用的輸出器件主要有晶體三極管(Transistor)、單向可控硅(Thyristor或SCR)、雙向可控硅(Triac)、MOS場效應(yīng)管(MOSFET)、絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)等。

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